随着VR、AR技术的发展及超高分辨率面板的需求,像素间距不断缩小,以实现超过2500ppi的更高分辨率OLED面板,而传统薄膜封装(TFE)的厚度在12~14μm左右,像素发出的光穿过TFE膜层时会有混色异常。因此,iCVD技术(膜厚可降至几十nm)可代替传统TFE三层膜中的IJP制备的有机膜层(10 ~ 12 μm ),在保证封装性能的同时能够大幅降低封装膜层厚度,改善混色,满足日益精进的产品需求。
下一代显示屏已朝柔性和可穿戴性发展。拥有良好柔性并兼具阻隔外界水汽功能的屏幕封装,是柔性可穿戴屏幕稳定运行的保障。艾纳膜科技(iNAF)结合顶尖薄膜制备技术研发卷对卷ALD/iCVD及PECVD/iCVD系统,助力柔性显示屏跨越式发展。
可靠的介电层是半导体装置长期稳定运行的关键。iCVD介电层可在维持足够电容的情况下,降低器件的尺寸维度,提供超高的机械柔性,保证了器件的高效稳定运行。
iCVD/ALD系统已在下一代半导体装置研发中得到广泛的应用。
钙钛矿光伏是业内公认最有可能成为第三代的太阳能发电技术,在建筑一体化光伏、便携式设备及航天领域有广阔的应用前景。
iCVD系统助力解决钙钛矿光伏产业化过程中的面临的柔性光伏器件效率低和高质量大面积吸光层制备难的痛点,推进高效钙钛矿光伏快速产业化。
关于第四次工业革命的一切都将依托传感器。MEMS/NEMS技术将引领和支持新型传感器的发展,而iCVD及其集成系统将会是其中重要一环。
iNAF研发的薄膜材料沉积技术(iCVD系列及其ALD\oCVD等集成系统),有望成为MEMS/NEMS技术发展的有力支撑。
在表面改性、油水分离、干膜润滑、生物医疗等领域,iCVD具有着广泛的应用。